Portador de grafito de oblea
Jincheng Graphite, como fabricante profesional de portadores de obleas de grafito, ofrece portadores de obleas de grafito de alta-pureza y alta-estabilidad. Está especialmente diseñado para procesos de alta-temperatura en la fabricación de semiconductores y presenta una excelente uniformidad térmica, resistencia a la corrosión y una larga vida útil. Se utiliza ampliamente en campos de precisión como el procesamiento de obleas y la litografía.
Fortalezas centrales
Sustrato de grafito a escala nano-
Utilizando un grafito de alta-pureza (con un contenido de carbono mayor o igual al 99,99%) y un proceso de compuesto metálico, la conductividad térmica alcanza hasta 300 W/m·K, lo que garantiza una temperatura uniforme en la superficie de la oblea y reduce el riesgo de deformación causada por el estrés térmico.
Compatibilidad con entornos de vacío
Tolera un rango de temperatura extremo de -200 grados a 3000 grados, es adecuado para procesos de vacío como litografía y grabado, y posee una excelente resistencia a la corrosión, compatible con gases químicos como hidrógeno y nitrógeno.
Adaptabilidad personalizada
Admite varios tamaños de obleas (como 12 y 8 pulgadas) y procesos especiales de tratamiento de superficies, cumpliendo requisitos precisos para diferentes escenarios de fabricación de semiconductores.
Escenario de aplicación
Proceso de litografía de obleas
Durante la aplicación del fotoprotector, el soporte de grafito proporciona un entorno de distribución térmica estable, lo que reduce los problemas de deformación de la oblea causados por las diferencias de temperatura.
Equipos de grabado a alta-temperatura
Durante el grabado con plasma, la alta conductividad térmica del soporte puede dispersar rápidamente el calor, protegiendo la superficie de la oblea del daño causado por las altas temperaturas.
Sistema de deposición al vacío
Compatible con CVD, PVD y otros procesos, lo que garantiza que la oblea se mantenga plana durante la deposición a alta-temperatura y mejora la tasa de rendimiento.
Especificaciones técnicas
| Conductividad térmica | 250 - 400 W/m·K (personalizable) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -200 grados a 3000 grados |
| Gases compatibles | Hidrógeno, nitrógeno, argón, etc. (gases de proceso de semiconductores) |
| Tratamiento superficial | Pulido/recubrimiento por plasma (opcional) |
Garantía de tecnología de grafito Jincheng
Basado en 20 años de experiencia en investigación y desarrollo de materiales de grafito, Jincheng Graphite adopta tecnología patentada de compuesto de vacío y tecnología de llenado de grafito de grado nanométrico-para garantizar la estabilidad a largo plazo-del soporte en condiciones extremas. El producto ha pasado la certificación del sistema de calidad ISO 9001 y los estándares aeroespaciales AS9100, cumpliendo con los estrictos requisitos de fabricación de semiconductores para gestión térmica.
Compromiso de cooperación
Jincheng Graphite ofrece un-servicio personalizado de proceso completo, desde el diseño, la producción hasta el servicio postventa-, admitiendo la producción de prueba en pequeños-lotes y la personalización a gran-escala, lo que garantiza un ciclo de entrega corto y costos controlables. A través de la red de logística global y los equipos de servicio locales, ofrece a los clientes soluciones de transporte de obleas de grafito eficientes y confiables, lo que ayuda a mejorar los procesos de fabricación de semiconductores.
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