El anillo de soporte de grafito isostático de alta-pureza del 99,99% es un componente central en el campo térmico de los hornos monocristalinos fotovoltaicos y semiconductores, y sirve como elemento de carga-y de sala limpia. Con seis características clave:-ultra-pureza alta, isotropía, resistencia a altas-temperaturas, baja expansión térmica, inercia química y mecanizado de precisión-garantiza la pureza, el rendimiento y la estabilidad del campo térmico de un solo-cristal. Los principales escenarios de aplicación incluyen hornos fotovoltaicos CZ, obleas de silicio semiconductor y hornos de monocristal de SiC.

El anillo de soporte de grafito de silicio monocristalino (99,99%/4N grafito isostático de alta-pureza) es el componente estructural central del campo térmico del horno monocristalino de tracción directa (CZ). Se utiliza en una atmósfera de vacío/argón a temperaturas que oscilan entre 1400 y 1600 grados para soportar de manera estable el crisol de grafito, el tubo guía, la cubierta aislante y el elemento calefactor, soportar cargas axiales, garantizar la concentricidad y la estabilidad dimensional del campo térmico, evitar la contaminación por impurezas del silicio fundido y garantizar la pureza y el rendimiento de la varilla de silicio monocristalino.
Material: Grafito artificial isostático de alta-pureza (Grafito Isostático), con un contenido de carbono de **Mayor o igual al 99,99% (4N)**, impurezas totales Menor o igual a 100 ppm, impurezas de metales clave (Fe, Cu, Al, Ca, etc.) Menor o igual a 1 ppm.
Función principal: soporte de carga-+ posicionamiento + aislamiento térmico + anti-contaminación. Es un componente básico indispensable para la extracción de monocristales fotovoltaicos/semiconductores.

Características detalladas (ventajas principales)

Pureza ultra-alta, que elimina la contaminación por silicio (el factor más crucial)
99,99% (4N) de alta pureza, con impurezas extremadamente bajas. No volatiliza ni libera impurezas metálicas a altas temperaturas, lo que evita defectos de oxígeno, carbono e impurezas metálicas en monocristales de silicio, mejorando directamente el rendimiento del monocristal y la eficiencia de conversión de la batería. El grafito común tiene altas impurezas, lo que puede causar puntos negros en la oblea de silicio, fugas y una disminución en la vida útil de los portadores minoritarios.

Características detalladas (ventajas principales)

Moldeo por prensado isostático, estructura isotrópica y uniforme.
Moldeo por prensado isostático en frío (CIP), con rendimiento constante en las tres dimensiones, sin orientación y densidad uniforme; no se deforma, no se deforma ni se agrieta a altas temperaturas, lo que garantiza la concentricidad del campo térmico y evita la excentricidad, los bordes rotos y las dislocaciones durante el proceso de extracción del monocristal.

Características detalladas (ventajas principales)

Resistencia a altas temperaturas, fuerte estabilidad térmica y resistencia al choque térmico.
Puede funcionar durante mucho tiempo a 1500-1600 grados en una atmósfera de vacío/argón, y durante un corto tiempo a 2200 grados; la resistencia a altas temperaturas no disminuye sino que aumenta ligeramente; el coeficiente de expansión térmica es extremadamente bajo y no se agrieta, no se cae ni se deforma bajo un choque térmico intenso durante el calentamiento y enfriamiento rápidos.

Aplicando a industrias y escenarios

1) Industria fotovoltaica (más básica)
Horno de extracción de circonita de silicio monocristalino (12/16/18/20/22/28 pulgadas): crisol de grafito de soporte, tubo de desviación, cilindro de aislamiento, elemento calefactor, pantalla de aislamiento térmico; Garantizar un campo térmico estable, la pureza de las varillas de silicio, el rendimiento y la consistencia.
Adecuado para varillas de silicio monocristalino tipo N-/tipo P-y producción de obleas de silicio fotovoltaico de alta-eficiencia.

Aplicando a industrias y escenarios

2) Industria de semiconductores
Horno de silicio monocristalino de grado semiconductor- (12 pulgadas y más): produce obleas de silicio para circuitos integrados, que requieren una pureza ultra-alta de 5N (99,999 %), con impurezas controladas al nivel de ppm/ppb.
Componentes de soporte de campo térmico de epitaxia de silicio, PECVD, tratamiento térmico al vacío.